 |
СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ ЭЛЬБРУС-2С+
«Эльбрус-2С+» - первый гибридный высокопроизводительный микропроцессор фирмы МЦСТ. Он содержит 2 ядра архитектуры Эльбрус и 4 ядра цифровых сигнальных процессоров (DSP) фирмы Элвис. Основная сфера применения процессора «Эльбрус-2С+» - системы цифровой интеллектуальной обработки сигнала, такие как радары, анализаторы изображений и т.п.
По сравнению с процессором «Эльбрус-S», в процессор «Эльбрус-2С+» были введены следующие изменения:
- Число ядер архитектуры Эльбрус увеличено до 2.
- Кэш-память 2-го уровня уменьшена до 1 МБ на ядро.
- Добавлен кластер из 4 ядер DSP, работающих на той же частоте.
- Поддерживаемый тип памяти изменён на DDR2-800, пропускная способность улучшилась на 60%
- Добавлен ещё один канал ввода-вывода. К нему можно подключить дополнительный южный мост КПИ или специализированное устройство, например контроллер ЦАП/АЦП.
Для гибридного процессора реализована версия компилятора с языка Си, позволяющая компилировать код для ядер DSP и обеспечивать эффективное взаимодействие основной программы, исполняющейся на ядрах CPU, и процедур для DSP.
Основные характеристики системы на кристалле «Эльбрус-2C+»
| Технологический процесс | 90 нм |
| Тактовая частота | 500 МГц |
| Число ядер архитектуры Эльбрус | 2 |
| Число ядер DSP (Elcore-09) | 4 |
Пиковая производительность микросхемы (ядра CPU + ядра DSP)
64 разряда, Gflops | 8 |
Пиковая производительность микросхемы (ядра CPU + ядра DSP)
32 разряда, GIPS | 44 |
Пиковая производительность микросхемы (ядра CPU + ядра DSP)
32 разряда, Gflops | 28 |
| Кэш-память команд (на ядро), КБ | 64 |
| Кэш-память данных (на ядро), КБ | 64 |
| Кэш-память второго уровня (на ядро), МБ | 1 |
| Встроенная память DSP (на ядро DSP), КБ | 128 |
| Пропускная способность шины связи с кэш памятью, ГБ/с | 16 |
| Пропускная способность шин связи с оперативной памятью (два канала), ГБ/с | 12,8 |
| Количество каналов межпроцессорного обмена | 3 |
| Пропускная способность канала межпроцессорного обмена, ГБ/с | 4 |
| Количество каналов ввода-вывода | 2 |
| Пропускная способность канала ввода-вывода, ГБ/с | 2 |
| Площадь кристалла, мм2 | 289 |
| Количество транзисторов | 368 млн |
| Количество слоев металла | 9 |
| Тип корпуса / количество выводов | HFCBGA 1296 |
| Размеры корпуса | 37,5х37,5 мм |
| Напряжение питания, В | 1,0 /1,8/2,5 |
| Средняя рассеиваемая мощность | ~25 Вт |
 |
|
Tel: +7 (495) 363-9665 | Fax: +7 (495) 363-9599 | E-mail:
|
| |
